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HN8061A兆歐表檢定裝置

 青島華能生產絕緣電阻表校驗裝置

依據(jù)JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程》,用于檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
二、主要技術指標
絕緣電阻表檢定裝置(兆歐表檢定裝置)主要用來檢定額定電壓≤10000V的絕緣電阻表，也可在絕緣電阻表生產、修理中作標準器具。其電阻器部分可單使用。數(shù)字表部分可測5000V的直流電壓和大20mA的直流電流。
本檢定裝置的主要技術性能如下：
㈠ 標準數(shù)字表
1、測量范圍：
電壓分兩檔：0～5000V  0～10000V  
 短路電流：0～2mA    0～20mA

電阻0-200G-1T-10T 其測量過程是測量轉速的霍爾傳感器和電機機軸同軸連接，機軸每轉一周，產生一定量的脈沖個數(shù)，由霍爾器件電路輸出。成為轉數(shù)計數(shù)器的計數(shù)脈沖。同時霍爾傳感器電路輸出幅度為12V的脈沖經光電耦合后降為5V，保持同單片機AT89C51邏輯電平相一致，控制計數(shù)時間，即可實現(xiàn)計數(shù)器的計數(shù)值對應機軸的轉速值。主CPU將該值數(shù)據(jù)處理后，在數(shù)碼管上顯示出來。本系統(tǒng)采用89C51中的0INT中斷對轉速脈沖計數(shù)。定時器T0工作于定時方式，工作于方式1。

HN8062A接地電阻表校驗裝置

 

用于檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規(guī)程》所適用的我目前生產的型號的模擬式、數(shù)字式接地電阻表以及進口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調節(jié)范圍寬，使用方便，造型美觀等優(yōu)點。 GB/T12325-2008《V錐流量計》中規(guī)定：電能質量分析儀的35kV及以上供電電壓正、負偏差值之和不超過標稱電壓的10%；20kV及以下三相供電電壓允許偏差為標稱電壓的土7%；220V單相供電電壓允許偏差為標稱電壓的+7%，－10%。三相電壓不平衡GB/T15543-2008《電能質量三相電壓不平衡》中規(guī)定：電力系統(tǒng)公共連接點電壓不平衡度限值為：電網(wǎng)正常運行時，負序電壓不平衡度不超過2%，短時不得超過4%；低壓系統(tǒng)零序電壓限值暫不做規(guī)定，但各相電壓必須滿足GB/T12325的要求。

主要技術指標：
1、模擬接地電阻

步進阻值（Ω）	*1000	*100	*10	*1	*0.1	*0.01	*0.001
功率（W）	0.25	0.25	0.25	0.25	0.1	0.1	0.1
基本誤差極限（α%）	0.1	0.1	0.1	0. 1	1	5	10
時間常數(shù)τ（S）	≤5*10-6
阻值調節(jié)范圍（Ω）	0.1--11111.210 小步進值0.001Ω

2、模擬輔助接地電阻

電阻值（Ω）	0	500	1000	2000	5000
基本誤差極限（α%）	<0.05Ω	1Ω
功率（W）	0--0.25W

功率器件熱阻分布示意圖舉個例子來說，大家常用的S8050在25℃（Tc）的耗散功率是0.625W，額定電流為0.5A，結點溫度為150℃,此代入公式有：從上面公式可以推算出Rja為200℃/W（Rja表示結點到空氣的熱阻）。假設芯片殼溫（Tc）為55℃，熱耗散功率有0.5W時，此刻芯片結點溫度為：Tj=Tc+PD*Rjc代入得到155℃，已經超過了結溫150℃了。故需要降額使用，然而降額曲線在數(shù)據(jù)手冊中并未標注，所以小編只能自行計算。

HN8063A耐電壓測試儀校驗裝置

一、性能特點

1、測量準度：

AQ6375B和AQ6376是研究人員和工程師進行測量的利器，具備高精度、高分辨率、高動態(tài)范圍和高靈敏度的指標。下面，我們來對比一下衍射光柵型光譜儀與干涉儀型光譜儀在測試光譜時存在的具體差異。1更為出色的靈敏度對于弱信號的處理，衍射光柵型光譜儀會比干涉型光譜儀能力強很多。2更大的動態(tài)范圍和更小的實際波長分辨率對于類似DFB-LD的器件，由于干涉型光譜儀的動態(tài)范圍和分辨率比較差，不太適合測試此類產品。主要從直角走線，差分走線，蛇形線等三個方面來闡述。1.直角走線直角走線一般是PCB布線中要求盡量避免的情況，也幾乎成為衡量布線好壞的標準之一，那么直角走線究竟會對信號傳輸產生多大的影響呢？從原理上說，直角走線會使傳輸線的線寬發(fā)生變化，造成阻抗的不連續(xù)。其實不光是直角走線，頓角，銳角走線都可能會造成阻抗變化的情況。直角走線的對信號的影響就是主要體現(xiàn)在三個方面：一是拐角可以等效為傳輸線上的容性負載，減緩上升時間；二是阻抗不連續(xù)會造成信號的反射；三是直角產生的EMI。